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      新聞詳情

      igbt模塊結構原理

      日期:2022-08-11 21:41
      瀏覽次數:35
      摘要:
      igbt模塊結構原理
      動態特性
        igbt模塊動態特性又稱開關特性,igbt的開關特性分為兩大部分:一是開關速度,主要指標是開關過程中各部分時間;另一個是開關過程中的損耗。
        igbt模塊的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態時,由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構,但流過MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時,通態電壓Uds(on) 可用下式表示::
        Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
        式中Uj1 —— JI 結的正向電壓,其值為0.7 ~1V ;Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降;Roh ——溝道電阻。
        通態電流Ids 可用下式表示:
        Ids=(1+Bpnp)Imos
        式中Imos ——流過MOSFET 的電流。

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